新洁能芯片应用范围（国内领先的半导体功率器件设计龙头企业新洁能）

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1. 公司基本情况

新洁能的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售，销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。通过持续的自主创新，公司在沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET以及IGBT等产品的设计研发方面拥有多项核心技术。公司的产品先进且系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、5G、光伏新能源等领域。

公司已经进入的下游应用领域龙头客户如：富士康、宁德时代、海尔、美的、九号公司、三星电子、视源股份、TP-LINK、星恒电源、宇视科技、长城汽车、昕诺飞（飞利浦照明）、宝时得、比亚迪、德朔实业、飞毛腿、高斯宝、公牛电器、杰华特、金升阳、晶丰明源、拓邦股份、无锡晶汇、大疆创新等。半导体行业上下游具有高度粘性，由于供应商往往需要严格漫长的审核过程，合作后一般不会轻易更换。公司依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展，培育了一大批忠实客户并取得了较好的市场口碑。

公司2021年度积极发展汽车电子（含燃油车和新能源汽车）、光伏逆变和光伏储能、5G基站电源、工业自动化、高端电动工具等中高端行业，如2021年公司在汽车电子市场重点导入了比亚迪，目前已经实现十几款产品的大批量供应，同时公司产品也进入了多个汽车品牌的整机配件厂，汽车电子产品的整体销售占比得以快速提升；与此同时，公司抓住新能源碳达峰碳中和快速增长的市场需求，重点发力光伏逆变和光伏储能市场，IGBT和MOSFET产品已经在国内主要的头部企业实现大批量销售，光伏逆变和光伏储能领域将成为公司2022年重要的业绩增长点。

2. 公司发展历程

新洁能成立于2013年；2016年新三板挂牌；2020年上交所上市；2021年导入比亚迪供应链。

3. 市场空间及潜力

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功率半导体又被称为电力电子器件，是电子装置电能转换与电路控制的核心，其本质是利用半导体的单向导电性实现电源开关和电力转换的功能，从发电、输电、变电、配电到用电，电力电子技术通过对电能的变压、逆变、整流、斩波、变频、变相、开关等，将发电端的“粗电”变成用电端的“精电”以供使用，可以提高能量转换效率，减少功率损失。

据 Omdia数据显示，2019年全球功率半导体市场规模约为 464亿美元，2021年全球功率半导体市场规模将达到 459亿美元，相比 2020年将增长 6.5%。预计至 2024年市场规模将增长至 522亿美元，2019-2024年的 CAGR 为 2.4%。而中国作为全球最大的功率半导体消费国，2019年市场规模达到 177亿美元，占全球市场比例高达 38.1%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024 年市场规模有望达到 206 亿美元，2019-2024 年的 CAGR 为 3.1%。

目前 MOSFET 在各领域皆有其身影，工业、汽车、消费电子、通讯、计算机等各应用对各种电压范围的 MOSFET 都有大量需求。按照电压范围，MOSFET可分为低、中、高压 MOSFET，低压 MOSFET 市场规模最大，消费电子中应用最广泛；中、高压 MOSFET 则用于工业、通讯、电动车等产业，对于产品的要求也在不断提高。

根据拓墣产业研究院预测，2021年 MOSFET市场规模将达 97亿美元，同比增长 22.8%，消费电子和汽车电子应用占比最高。在汽车电子领域，MOSFET 器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向、电机驱动等动力控制系统以及电池管理系统等功率变换领域都有重要的应用场景，尤其是新能源车市场将大幅推升 MOSFET需求，2022年整体 MOSFET市场规模将首次达到 100 亿美元。

IGBT是由 BJT和 MOSFET组成的复合型电压驱动式功率半导体器件，兼具 MOSFET 的输入阻抗高、驱动功率小、开关速度快和 BJT的导通压降低、载流能力大、耐压高双方面的优点，被称为电力电子行业的“CPU”，在中低频率、大功率电源中主要的功率半导体器件，广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、牵引传动中。

按照电压范围，IGBT又可分为低压中压高压几类，适用的应用领域有所不同。其中消费电子使用的 IGBT主要在 600V 以下的低压范围，新能源汽车、工业控制、家用电器等使用的 IGBT主要在 600V-1200V 的中压范围，轨道交通、新能源发电和智能电网等使用的 IGBT主要在 1700V-6500V 的高压范围。IGBT可按照产品类型分为单管（分立器件）、IGBT模块和智能功率模块 IPM 三类，区别之处主要在于生产制造技术和下游应用场景均有所差异，IGBT单管、IGBT模块和 IPM 采用了不同的电路设计和封装技术。由于 IGBT模块的尺寸相对标准化，芯片间的连接也已在模块内部完成，因此和同容量的器件相比，具有体积小、重量轻、集成度高、可靠性高、外接线简单、散热稳定等优点，在 IGBT应用市场中占比过半。

根据 IHS Markit 报告，2018年全球 IGBT市场规模约为 62亿美元，2012年-2018 年 CAGR达 11.65%。根据智研咨询数据，2019年中国 IGBT市场规模约为 155亿元，2012年-2019年 CAGR为 14.52%，增速快于全球市场。根据集邦咨询的预测，中国 IGBT市场规模将持续增长，2025年中国 IGBT市场规模将达到 522亿人民币，年复合增速达到 19%以上，是细分市场中发展最快的半导体功率器件。

4. 竞争格局及优势

从整个功率半导体市场来看，根据英飞凌的数据统计，2020年功率半导体器件与模块全球市场规模为 209 亿美元，英飞凌以 19.7%的市场占有率占据领先地位，其次是安森美和意法半导体，市占率分别为 8.3%和 5.5%，CR10接近 60%，全球前十大功率半导体厂商均为国外公司。

从整个国内市场来看，目前国内厂商主要以二极管、晶闸管、低压 MOSFET 等低附加值产品为主，毛利率相对较低，国内厂商现已有较为成熟和低成本的产品，占据了一定市场份额。而在新能源汽车、电力、轨道交通等领域应用较多的中高压MOSFET、IGBT等中高端产品技术门槛较高，工艺更复杂，且客户认证壁垒较高，目前仍主要依赖于进口，处于被国外巨头垄断的现状，以英飞凌、安森美、意法半导体为主导的国外企业占据了我国高端功率器件 80%以上的市场份额，国内自给率严重不足，国产替代空间巨大。

在MOSFET竞争格局方面，2020 年，英飞凌仍以 24.4%的市占率位居全球功率 MOSFET 分立器件市场第一，CR5 约 58.4%，华润微、安世半导体和士兰微分别以 3.9%、3.8%和 2.2%的市占率位列第八、第九和第十。

根据英飞凌的数据统计，2020年 IGBT分立器件全球市场规模为 15.9亿美元，英飞凌以 29.3%的市场占有率占据领先地位，其次分别是富士、三菱、安森美、东芝，CR5约 67.4%；2020年 IGBT模块全球市场规模为 36.3亿美元，英飞凌以 36.5%的市场占有率占据领先地位，其次分别是富士、三菱、赛米控和威科电子，CR5约 66.7%；2020 年 IPM 模块全球市场规模为 14.3亿美元，三菱以 32.9%的市场占有率占据领先地位，其次分别是安森美、英飞凌、富士和赛米控，CR5约78.3%。我国只有少数企业如斯达半导位列 IGBT模块市场第六（2.8%），杭州士兰微位列IGBT分立器件市场第十（2.6%）、IPM 模块市场第九（1.6%），具备一定的竞争优势。

产品矩阵多样化、系列型号丰富，应用市场覆盖面广，各行业龙头客户众多：公司的主要产品沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 和 IGBT等已拥有覆盖 12V~1700V 电压范围、0.1A~450A 电流范围的多系列细分型号产品，是国内 MOSFET 产品系列最齐全且技术先进的设计企业之一。公司是国内最早同时拥有沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 及 IGBT 四大产品平台的本土企业之一，通过“构建-衍生-升级”的发展模式，以构建的工艺技术平台推动衍生开发细分型号产品，一方面能反哺产品工艺平台从而实现平台的持续升级，另一方面大大提高了技术研发和产品设计的效率和效果，能助力公司细分型号产品快速、“裂变式”产生，满足下游多个领域的需求。截至目前，公司已拥有 1500 款左右的细分型号产品，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。

产业链协作优势：产业链协作对于半导体功率器件研发设计企业十分重要。MOSFET、IGBT相比于其他半导体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征，因此，MOSFET、IGBT的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态，这使得MOSFET、IGBT主要基于8英寸以及12英寸芯片工艺平台进行流片，而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。

公司目前是国内8英寸和12英寸工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司之一，并与产业链中大部分优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系，且通过全资子公司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的封测技术和产品，形成了公司较为突出的产业链协作优势。国产替代的进程有望加速。

5. 成长驱动和态势

功率半导体下游需求多点开花，国产替代进程呈加速态势：在需求端，近年来新能源汽车、新能源发电、智能电网、轨道交通等诸多新兴应用领域的蓬勃发展为行业带来广阔的发展空间，叠加供给产能紧缺，目前海外进口缺货涨价，市场供不应求，国内供需矛盾日益凸显。产业链下游相关行业客户进口替代意愿强烈，具备核心技术实力、产品质量、性价比优势以及产能的国内龙头迎来绝佳的客户导入窗口期，产品导入进度加快。

产品布局齐全，率先卡位高成长功率赛道：公司不断丰富功率半导体产品类别，MOSFET、IGBT 和功率模块等产品系列齐全，是国内最早同时拥有沟槽型、超结、屏蔽栅功率 MOSFET 及 IGBT 四大产品平台的本土企业之一；公司掌握 MOSFET、IGBT 核心技术，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅和超结功率 MOSFET 的企业之一，形成了具有自主知识产权的核心技术体系，产品市场竞争优势不断强化；公司通过自主创新构筑竞争壁垒，不断缩小与国际一流功率半导体厂商的差距，已成为国内市场地位和份额领先的功率半导体设计企业；公司不断对产品系列更新升级，积极延伸所处产业链，逐步进入半导体功率器件的封装测试领域；依托领先的产品和技术优势，公司产品的应用市场不断拓展，积累了众多优质客户资源；公司技术紧跟市场最先进的技术梯队，公司稳步推进功率半导体国产替代进程，未来成长空间广阔。

IGBT 作为公司的重点发展方向，已经正式起量销售，有望为公司提供新的成长动力，成为新的业绩增长点。

目前，公司现有产品主要以 MOSFET、IGBT 单管为主，在现有产品的基础上，公司拟定增募资不超过 14.5 亿元，用于第三代半导体 SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化、功率驱动 IC 及 IPM 模块的研发及产业化、SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模块(含车规级)的研发及产业化。本次募集资金将用于进一步优化产品结构，新增 SiC/GaN功率器件产品、功率驱动IC 及 IPM 模块、PIM 模块等产品，契合当前的市场需求，助力丰富公司现有产品品类，为客户提供更多样化的产品选择和解决方案，有利于强化自身核心竞争力，提高市场占有率。

6. 财务数据

2021年公司实现营收同比增长56.86%至14.98亿元，3年复合增长率27.90%；实现归母净利润同比增长194.96%至4.10亿元，3年复合增长率42.73%；实现扣非归母净利润同比增长197.78%至4.02亿元，3年复合增长率42.13%；实现经营活动现金流同比增长456.79%至4.51亿元，3年复合增长率68.66%。

2022Q1实现营收同比增长30.79%至4.21亿元，实现归母净利润同比增长50.11%至1.12亿元；实现扣非归母净利润同比增长48.29%至1.10亿元；实现经营活动现金流同比下降至16.39%至0.49亿元。

截止2021年Q1，公司总资产21.18 亿元，股东权益17.67亿元，负债总额3.51亿元，资产负债率16.57%；负债方面，流动负债3.18亿元，占比90.60%，非流动负债0.33亿元，占比9.40%；资产方面，流动资产17.41亿元，占比82.20%，非流动资产3.78亿元，占比17.85%。

7. 生意特性

查理芒格：长期来看，股价年收益率等于净资产收益率。

所以，净资产收益率是一门生意研究的重中之重。从杜邦分析拆解三种生意模型，第一种是它做的事别人做不了(差异化，无形资产、经济商誉，需关注企业的天花板)，第二种它做的事比别人做的更好且能重复做(规模效应，资产的扩张，需关注随着规模的扩张利润率的提升)，第三种杠杆型。

根据杜邦分析拆解三种生意模型，我们把新洁能归入第二类生意模型，首先关注了公司的资产周转率，公司近年来资产周转率呈下降趋势，19年资产负债率的提高，20年IPO以及21年定增，资产迅速增加，未来随着募集资金的投放，公司资产周转率有望回升。

毛利率-利润率呈上升趋势，21年由于行业的景气，毛利率-利润率创出近几年来的高点，未来随着较高毛利率产品占比的提高，公司毛利率—利润率还有提升空间。

公司资产周转率唯一上市以来的低点，从公司历史资产负债水平来看，还是有一定的提升空间。

综上所述，公司盈利水平处于优秀水平，从中长期产业发展情况来看，公司盈利水平有望保持，并向更优秀水平提高。

8. 估值及机构盈利预测

PE-TTM 47.29，位于上市以来低位；PB 11.99，位于上市以来低位，低PE低PB组合(相对)。

根据机构一致性预测，新洁能2024年业绩增速在27.59%左右，EPS为4.20元，19-24年5年复合增长率53.64%。目前股价105.95元，对应2024年估值是PE 25.20倍左右，PEG 0.91左右。

9. 主要的风险

新品推出不及预期；客户开拓不及预期。

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