美光全球首发3d闪存（美光1βDRAM）

IT之家 6 月 10 日消息，据台湾经济日报消息，台湾美光今天组织媒体参观美光 A3 厂，台湾美光董事长卢东晖宣布表示，A3 厂将下半年导入先进极紫外光设备，为美光 1γ DRAM 早日量产预做准备。

据介绍，美光规划 2024 年量产 1γ DRAM 芯片。

据报道，美光的 DRAM 制造基地主要在中国台湾和日本，其中 1α DRAM 已在台量产。另外，1β DRAM 将于今年底在日本量产，之后将转移到台湾生产。

IT之家了解到，内存厂商上一代 DRAM 芯片通过为 1X、1Y、1Z 区分工艺，1Xnm 工艺相当于 16-19nm 级别、1Ynm 相当于 14-16nm，1Znm 工艺相当于 12-14nm 级别。据业界消息，最新的 1α、1β 和 1γ 可能分别相当于 14-12nm、12-10nm 以及 10nm。