场效应晶体管使用方法 场效应晶体管知多少

学过模电的攻城狮都知道，场效应晶体管(FET)）简称场效应管，主要有JFET和MOS-FET两种类型，它属于压控制型半导体器件。今天讲一讲JFET，融汇贯通[奸笑][奸笑]

先上N沟道JFET结构图示[机智]

JFET的N沟道和P沟道电路符号（知道哪个是N沟道哪个是P沟道不[机智]）

我的口诀是:箭头GS，N进P出[我想静静][我想静静]

举个栗子[狗头]N沟道JFET正常 工作时，G极与S极之间的电压须为反向，即栅极电压，用Ugs来表示；D极与S极之间的电压即漏极电压，用Uds来表示。Uds的极性为漏极为正，源极为负。（P沟道J-FET，电压要求正好相反）。

由于强大的反向电场作用，耗尽层中几乎无载流子，是高阻区；夹在两个耗尽层中间的是具有丰富自由电子的低阻导电沟道。由欧姆定律可知，沟道电流的大小取决于沟道两端的电压和沟道的直流电阻的大小。JFET通过改变施加在PN结上的反向偏压(栅极电压)的大小来改变耗尽层的宽度，进而改变沟道的宽度和直流电阻，从而可以控制沟道电流。

P沟道J-FET的工作原理与N沟道相同，仅仅使用时要求电源以及偏置极性相反,需注意夹断电压的极性也相反[机智][机智]

JFET的的典型特性主要有输出特性和转移特性。[机智][机智]

1、N沟道JFET的输出特性曲线

J-FET的输出特性曲线即Id-Ugs关系曲线:

结论:

①截止区:当Gg=-5V时， Is=0， 这时由于两个PN结的反向偏置电压都很大，导致N型沟道的宽度接近零。

②可变电阻区:输出曲线是直的，而且不同的Ugs对应不同的斜率，Ugs可以控制DS之间的电阻。此时可以理解J-FET等 效为一个压控可变电阻器，Ugs越负，电阻值越大。

③线性放大区:当Ugs高于截止栅极电压时，随着Uds的增加，当Uds增加与夹断电压相等时，场效应管出现“预夹断”。此时，因预夹断区的电阻远远大于剩余的N沟道电阻，增加的电压基本上都消耗在预夹断区上，N沟道上的电压基本不变，因此Uds之间出现了恒流特性。在线性放大区内，Id只受Ugs控制，Ugs越大， Id饱和电流越大，且成比例变化。

注意:在工程应用中，J-FET用做放大路时，必须被偏置到线性放大区。[狗头][狗头]在线性放大区内，若Uds再继续增加，PN结上的反向电压越来越大，若Udg超过PN结的反向击穿电压时PN结将发生击穿。Ugs越大，发生击穿时的Uds越大。

2、N沟道JFET的转移特性曲线

转移特性曲线是指J-FET在线性放大区时，在固定Uds电压条件 下，Id与Ugs的函数关系。

当Uds固定不变，JFET维持在20V左右， Ugs越负，Id越小；Ugs=0V时的漏极电流称为饱和电流，即Idss；当Ugs=Up=-2V时，JFET被夹断，Id=0mA。[耶][耶]

其公式如下:

在恒流区内，该式子可以用来计算JFET的直流工作点。

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