深度分析集成电路（半导体集成电路术语科普）

半导体集成电路术语科普

1. 基础术语

1. 通用术语

1. 微电子学，Microelectronics，高度小型化电子线路的构成和应用的学科。

2. 集成电路，Intergrate Circuit，将若干电路元件不可分割地联在一起，并且在电气上互连，以致就规范、试验、贸易和维修而言，被视为不可分割的一种电路；（注：本定义的电路元件没有包封或外部连接，并且不能作为独立产品规定或销售。可以分为半导体单片集成电路、半导体多片集成电路、薄膜集成电路、厚膜集成电路、混合集成电路。

3. 半导体器件，semiconductor device，基本特性是由于载流子在半导体内流动的器件。

4. 电路元件，circuit element，在集成电路中完成某种电学功能的无源或有源元件。

5. 有源元件，active element，一种主要对电路提供整流、开关和放大功能的（电路）元件。

6. 无源元件，passive element，对电路功能起电阻、电容或电感，或是它们组合作用的元件。

7. 电极，electrode，半导体器件的规定区域与边引出端的内引线之间的提供电学联接的部分；

8. 封装外形图，package outline drawing，规定尺寸特征和机械互换性要求等有关特征的封装图形。

b.器件类型


1. 
   

单片集成电路，monolithic Intergrated circuit,全部元件制作在一块半导体芯片上的集成电路

2. 
   

多片集成电路，Multichip integrated circuit，一个封装体内仅装有两个或多个半导体芯片的集成电路

3. 膜集成电路，film integrated circuit，元件和互连均以膜形式在绝缘基片表面上形成的集成电路。

4. 混合集成电路，Hybrid integrated circuit，由半导体集成电路与膜集成电路的任意组合，或由任何这些电路同分立元件的任意组合形成的集成电路。

5. 双极型集成电路，bipolar integrated circuit，以双极型晶体管为基本有源元件构成的集成电路。

2. 材料及工艺

1. 晶片（圆片），wafer，一种半导体材料或将这种半导体材料沉积到衬底上面形成的薄片或扁平圆片，在它上面可同时制作出一个或若干个器件，然后将它分割成芯片；

2. 芯片，chip（die），从含有器件或电路阵列的晶片上分割的至少包含有一个电路的部分

3. 衬底，substrate，在其表面和内部制造器件或电路元件的材料

4. 基片，substrate，对膜电路元器件和（或）外贴元器件形成支撑基体的片状材料

5. 膜，film，用任何淀积工艺在固体基片上形成的固体层

6. 平面工艺，planar technique，采用掩膜扩散、金属化、光刻等技术，在衬底上制造元器件和电路的过程 。

7. 外延工艺，epitaxy technique，在衬底上生长一层与衬底有相同或相近晶相的半导体材料的过程

8. 光刻工艺，photolithography technique，利用曝光、显影、刻蚀等技术，在表面涂覆有光致抗蚀剂膜的晶片上，制作出所需图形的过程

9. 真空蒸发，vacuum evaporation，在真空中将材料加热，并使其蒸发淀积在其他材料表面上形成膜的过程

10. 扩散工艺，diffusion technique，将杂质原子扩散到半导体晶体中，在该晶体中形成P型或N型电导率区域的过程。

11. 离子注入，ion implantation，将被加速的离子注入到半导体晶体中，在该晶体中形成P型、N型或本征导电区

12. 溅射，sputtering，利用辉光放电中气体离子的轰击使电极材料释出，并淀积在其他材料表面上形成膜的过程

13. 金属化，metallization，淀积一层金属膜，并制作布线图形，从而形成所需内连线等的过程

14. 表面钝化，surface passivation，在P区、N区和PN结形成以后，在半导体表面生长或涂覆一层保护膜的过程

15. 保护涂层，protective coating，涂在电路元件表面作为机械保护和防止污染的绝缘材料层。

16. 引线键合，wire bonding，为了使细金属丝与芯片上规定的金属化区或底座上规定的区域形成欧姆接触，而对它们施加应力的过程

17. 封装，encapsulation，为抵抗机械、物理和化学应力，用某种保护介质包封电路和元器件的通用工艺。

18. 灌封，embedding，采用能够固化的树脂对电路、组件的主体进行埋置的过程

19. 外壳（封装），package(case)，集成电路的全包封或部分包封体，外壳可以包含或提供引出端，它对集成电路的热性能产生影响。

20. 底座，header，封装体中用来安装半导体芯片的部分

21. 机械标志，mechanical index，自动操作时提供方位的特征。
    

GJB548B微电子器件试验方法和程序所涉及的术语

1. 准确度，accuracy，产品误差的量度，它由标准过程保证，或取决于校准的项目。

2. 精度，precision，仪表、器件、组件、试验、测量或过程显现可重复性的程度。精度用统计学方法或各种统计过程控制，与可重复性可以互换。

3. 分辨率，resolution，仪器、器件或组件已知数值的读数或指示数的最小单位

陆芯晶圆划片机

GB/T 51198-2016，微组装生产线工艺设计规范的术语，

1. 微组装，micro-assembling，在高密度基板上，采用表面贴装和互连工艺将构成电子电路的集成电路芯片、片式元件及各种微型元器件组装，并封装在同一外壳内，形成高密度、高速度、高可靠性的高级微电子组件

2. 环氧贴装，epoxy die attaching，用导电或绝缘环氧树脂胶将裸芯片和（或）片式阻容元件贴装在基板上，并通过加热固化环氧树脂实现芯片（元件）与基板间的物理连接

3. 再流焊，reflow soldering，在电路板的焊盘上预涂的焊锡膏经过干燥、预热、熔化、润湿、冷却，将元器件焊接到印制板上的工艺。

4. 共晶焊，eutectic soldering，将二元或三元合金焊料加热到不小于其共熔温度（也即共晶温度）而熔融，并经冷却直接从液态共熔合金凝固形成固态共晶合金，实现芯片等元件的焊接工艺

5. 倒装焊，flip chip bonding,FCB,一种IC裸芯片与基板直接安装的互连方法，将芯片面朝下放置，通过加热、加压、超声等方法使芯片电极或基板焊区上预先制作的凸点变形（或熔融塌陷），实现芯片电极与基板焊区间的对应互连焊接的工艺。

6. 平行缝焊，parallel seam sealing，借助于平行缝焊系统，由通过计算机程序控制的高频大电流脉冲使外壳底座与盖板在封装界面缝隙处产生局部高热而熔合，从而形成气密性封装的一种工艺手段。

7. 激光焊，laser welding，以聚焦的激光束作为能源轰击焊件所产生的热量进行焊接的工艺

8. 钎焊，braze welding，采用熔点或液相线温度比母材低的填充材料（钎料），在加热温度低于母材熔点的条件下实现金属间冶金结合的工艺。

9. 涂覆，coating，在电路板特定区域运用机械的、化学的、电化学的、物理的方法施加塑性的或非塑性的非导电薄层涂料，起环境保护和（或）机械保护作用

来源：今日半导体

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