美光量产已全面就绪（完全靠自主的重大技术转型）

与非网 4 月 2 日讯，据悉，全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一的美光科技公司将开始基于全新 RG 架构的第四代3D NAND存储器的量产工作，计划在今年 Q3 开始生产，并于 Q4 像商业客户发货。

这将是制造商的一次重大技术转型，按照美光介绍，他们的第四代 3D NAND 使用多达 128 的有源层，并继续使用阵列设计方法下的 CMOS。新型 3D NAND 存储器把浮栅技术（已被 Intel 和 Micron 多年使用）改为 gate replacement 技术，以试图降低管芯尺寸和成本，同时提高性能，并简化向下一代节点的过渡。

该技术完全由美光公司开发，没有英特尔的任何投入，因此它很可能是针对美光公司最希望针对的应用程序量身定制的（可能是较高的 ASP，例如移动，消费类等）。

Micron 第四代的 28 层 3D NAND 即将流片表示该公司新设计不仅仅是一个概念。同时，美光还没有计划将其所有产品线都转换为最初的 RG 处理技术，因此明年公司范围的每位成本将不会大幅下降。尽管如此，该公司承诺在其后续 RG 节点广泛部署之后，到 2021 财年（从 2020 年 9 月下旬开始）将实现有意义的成本降低。

美光首席执行官兼总裁 Sanjay Mehrotra 表示：“我们使用 replacement gate 或简称“ RG”实现了我们的第一个 die。这个里程碑进一步降低了我们进行 RG 过渡的风险。提醒一下，我们的第一个 RG 节点将为 128 层，并将用于选择的一组产品。我们不希望 RG 能够在 2021 财年广泛部署第二代 RG 节点之前实现有意义的成本降低。因此，我们预计 2020 财年 NAND 的成本降低最小。我们的 RG 生产部署方法将优化 NAND 资本投资的 ROI。”

此外，据美光科技透露，公司将在今年晚些时候最终推出其首款用于带宽需求型应用的 HBM DRAM。此举将使该公司能够应对诸如旗舰 GPU 和网络处理器之类的高带宽设备市场，在过去五年中，这些设备已转向 HBM 来满足其不断增长的带宽需求。而且，作为“三巨头”存储器制造商中的第三家也是最后一家进入 HBM 市场的公司，这意味着 HBM2 存储器将最终可从所有三家公司获得，这给该市场带来了新的竞争优势。

尽管美光始终处于存储技术的最前沿，但迄今为止，该公司一直没有涉足 HBM. 相反，他们先前的工作重点是 GDDR5X，以及混合内存多维数据集（HMC）对快速堆栈存储的不同看法。HMC 是 三星和 IBM 于 2011 年首次宣布的，HMC 是类似的堆叠 DRAM 类型，适用于带宽匮乏的应用，其特点是低带宽总线和极高的数据速率，可提供远远超过当时的内存带宽标准 DDR3。作为 HBM 的竞争解决方案，HMC 确实在市场上有一定用途，特别是在加速器和超级计算机等产品中。然而，最终，HMC 在与更广泛的 HBM / HBM2 的对抗中败下阵来，美光科技在 2018 年将该项目转为支持 GDDR6 和 HBM。

最终，美光花了大约两年的时间来开发其第一批 HBM2 存储设备，并且这些产品最终将在 2020 年面世。鉴于此次电话会议具有广泛的财务性质，美光并未透露其首批 HBM2 设备的规格目前，尽管可以肯定的是，将使用该公司的第二代或第三代 10 nm 级工艺技术（1y 或 1z）生产底层 DRAM 单元。同时，在性能和容量方面，美光显然将竭尽全力与三星和 SK 海力士竞争。