大功率可控硅好坏判断（晶闸管的工作原理）

晶闸管导通的工作原理可以用一对互补三极管代替晶闸管的等效电路来解释。

晶闸管a内部结构，b图形符号

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二极管等效电路，b.三极管等效电路

图形符号在晶闸管承受反向阳极电压时，V1 和 V2 处于反压状态，是无法工作的，所以无论有没有门极电压，晶闸管都不能导通。只有在晶闸管承受正向阳极电压时，V1和 V2 才能得到正确接法的工作电源，同时为使晶闸管图导通必须使承受反压的J结失去阻挡作用。

晶闸管的工作原理

上图清楚地看出，每个晶体管的集电极电流同时又是另一个晶体管的基极电流，即有 Ic2= Ib1，(IG） Ic1= B2。在满足上述条件的前提下，再合上开关 S，于是门极就流入触发电流I，并在管子内部形成了强烈的正反馈过程，从而使 V1、V2 迅速饱和，即晶闸管导通。而对于已导通的晶闸管，若去掉门极触发电流，由于晶闸管内部已完成了强烈的正反馈，所以它仍会维持导通。若把 V1、V2 两管看成广义节点，且设 α1和 α2分别是两管的共基极电流增益，Icbo1和Icbo2分别是 V1 和 V2 的共基极漏电流，晶闸管的阳极电流为 IA，阴极电流为 Ik，则可根据节点电流方程我们知道，晶体管的电流放大系数 α 随着管子发射极电流的增大而增大，我们可以由此来说明晶闸管的几种状态。（1）正向阻断。当晶闸管加正向电压 Ex，且其值不超过晶闸管的额定电压

（2）触发导通。加正向阳极电压 EA的同时加正向门极电压 EG，当门极电流 IG 增大到一定程度，发射极电流也增大，（a1 a2）增大到接近于 1 时，IA将急剧增大，晶闸管处于导通状态，IA的值由外接负载限制。

（3）硬开通。若给晶闸管加正向阳极电压 EA，但不加门极电压 EG，此时若增大正向阳极电压 EA，则正向漏电流 也会随着 EA的增大而增大，当增大到一定程度通时，（a1 a2）接近于 1，晶闸管也会导通，这种使晶闸管导通的方式称为硬开通。多次硬开会造成管子永久性损坏。

（4）晶闸管关断。当流过晶闸管的电流 IA降低至小于维持电流 Ii 时，a1和 a2迅速下降，使得（a1十α2）远小于1，晶闸管恢复阻断状态。

(5)反向阻断。当晶闸管加反向阳极电压时，由于 V1、V2 处于反压状态，不能工作，所以无论有无门极电压，晶闸管都不会导通。另外，还有几种情况可以使晶闸管导通。如：温度较高；品闸管承受的阳极电压上升率du/dt 过高；光的作用，即光直接照射在硅片上等，都会使晶闸管导通。但在所有使晶闸管导通的情况中，除光触发可用于光控晶闸管外，只有门极触发是精确、迅速、可靠的控制手段，其他均属非正常导通情况。