ddr3装机方案（手机电脑运行速度慢）

目前在计算机主板和各种嵌入式的应用中，存储器是必不可少的。常用的存储器有两种：一种是非易失性的，即掉电不会丢失数据，有时又称为Flash（闪存）或者ROM（Read-Only Memory），运行速度较慢，主要用于存储程序代码以及永久的数据信息等；另一种是易失性，即掉电会丢失数据，有时又称为RAM（Random Access Memory，随机存储器），运行速度较快，主要用于程序运行时的程序或者数据缓存等。通常所说的计算机或者手机内存的大小就是指其配置的RAM的容量大小。

其实，我们的手机或电脑下载的APP软件，会保存到非易失性存储器中，无论上电还是关机，程序一直保存在非易失性存储器中，当我们打开该APP软件，例如：打游戏（王者荣耀APP）、看电影（腾讯APP）等，相应的软件程序会被加载到易失性存储器（内存）中运行，所以说APP运行的速度和RAM存储器有着直接的关系，也就是内存的性能决定你的设备运行速度，这也是买手机或电脑时，内存越大，频率越高，价格越贵的关系。

NAND Flash

NOR Flash

DDR3颗粒

今天简单给大家介绍一下DDR3的内部是一个存储阵列，将数据"填"进去，可以想象成一张表格，和表格的检索原理一样，先指定一个行（ROW），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元，这个表格（存储阵列）就是逻辑Bank(Logic Bank)

B代表Bank地址编号 C代表列地址编号 R代表行地址编号，如果寻址命令是B1 R2 C3就能确定地址是图中红格的位置。目前DDR3内存芯片基本上都是8Bank设计，也就是说一共有8个这样的表格。寻址的流程也就是先指定Bank地址，再指定行地址，然后指定列地址，最终的寻址单元。

下面说一下内存的容量怎么计算，单颗DDR3，行（Row）地址线复用14根，列（Column）地址线复用10根，Bank数量为8个，I/O Buffer 通过8组数位线（DQ0-DQ7）来完成对外的通信，故此单颗DDR3芯片的容量为2的14次方 乘 2的10次方 乘 8 乘 8，结果为1Gbit，因为1B包含8bit，1Gb/8=128MB。

如果我们要做成容量为1GB的内存条则需要8颗这样的DDR3内存芯片，每颗芯片含8根数位线（DQ0-DQ7）则总数宽为64bit，这样正好用了一个Rank。

如果还用128MB的DDR3芯片去做2GB内存条，结果就会有所不同。我们最好选用4根数位线（DQ0-DQ3），数量是16颗，这样也是用了一个Rank。如果要做容量为8GB的内存条，则数量用64颗128M的DDR3，这样位宽高达64X4=256bit，要做成4个Rank。

内存条