光隔离放大器芯片（华侨大学AFM效率22.3）

钙钛矿发光二极管（PeLED）因其高色纯度和简单的溶液处理方法而备受关注，为下一代固态照明和显示器提供了潜在应用。随着材料的不断发展，钝化可以很有效的减少非辐射复合来改善器件性能。当前CsPbBr3和Cs4PbBr6因为其晶格匹配提供了理想的钝化和有效的激子限制。然而，Cs4PbBr6的低电荷传输迄今阻碍了器件性能。

在此，华侨大学的研究人员开发了一种双相调节方法来实现有效的电注入。这使得PeLED的最大EQE为22.3%，亮度为10050 cd m−2，并且设备在130 cd m−2时显示59小时的T50。相关论文以题目为“Dual-Phase Regulation for High-Efficiency Perovskite Light-Emitting Diodes”发表在Advanced Functional Materials期刊上。

论文链接：

https://doi.org/10.1002/adfm.202200350

金属卤化物钙钛矿（MHP）由于材料成本低、载流子扩散长度长和溶液处理，在光电子器件方面取得了巨大成功。此外，对于发光应用，最好的MHP表现出高光致发光量子产率（PLQY）、窄发射线宽和可调谐发射。近年来，PeLED的持续改进使外部量子效率（EQE）超过20%。改善EQE的一个途径是从MHP中去除非辐射缺陷。这些缺陷的钝化已通过加性工程得到证明，例如配体、掺杂剂、和壳层的加入。

理论上，CsPbBr3和Cs4PbBr6应该是PeLED的模型发射极，因为其晶格匹配提供了理想的钝化和激子限制。然而，Cs4PbBr6的低导电性和流动性对电子注入提出了挑战。因此，对基于CsPbBr3和Cs4PbBr6的PeLED的初步研究产生的EQE远低于1%。通过优化前驱物比率，设备性能得到了改善，但EQE仍低于4%。在所有经溶液处理和热蒸发的CsPbBr3和Cs4PbBr6 PeLED中，通过以特定比例添加PbBr2和CsBr来合成混合物。

因此，作者寻求一种新的策略来实现更导电的设备。具体而言，FABr和MABr添加剂与CsPbBr3的晶粒表面相互作用，形成Cs4PbBr6。CsPbBr3和Cs4PbBr6的相位均匀混合，形成均匀的发射极，其中相对相位比可以连续调节。

在这项工作中，作者开发了一种双相调节方法，用Cs4PbBr6钝化CsPbBr3，同时保持其电输运性质。结合适当的器件工程，包括作为空穴传输层（HTL）的NiMgLiOX，最终实现了最大EQE为22.3%的PeLED。就稳定性而言，T50为59小时，初始亮度为130 cdm−2，是效率最高（EQE>20%）的绿色发光PeLED。（文：爱新觉罗星）

图1.相位调节策略及其对钙钛矿薄膜光电性能的影响。

图2.钙钛矿组分的空间分布。

图3.PEDOT:PSS和NiMgLiOX作为Pero LED中HTL的比较。

图4.Pero LED的制造和性能评估。

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