氢氧化钾刻蚀硅腔体(钾辅助制造本征缺陷多孔碳用于电催化CO2还原)

本征碳缺陷的制造通常与掺杂效应联系在一起,并且识别它们在催化中的独特作用仍然是一项艰巨的任务。近日,中科大Hai-Long Jiang,Hongjun Zhang等开发了一种 K 辅助合成策略,通过直接热解 K 限域的金属有机骨架 (MOF) 获得具有丰富本征缺陷和完全去除杂原子的多孔碳 (K-defect-C)。

本文要点:

1)正电子湮没寿命光谱、X射线吸收精细结构测量和扫描透射电子显微镜共同证实了K-defect-C中存在丰富的12空位型碳缺陷(V12)。

2)有趣的是,K-defect-C在-0.45 V电位下电还原CO2实现了超高的 CO 法拉第效率 (99%),远远超过了没有 K 蚀刻的 MOF 衍生碳。

3)理论计算表明,K-defect-C中的V12缺陷有利于CO2的吸附,并显著加速COOH*中间体的形成,从而促进CO2的还原。

该工作开发了一种产生本征碳缺陷的新策略,并为它们在催化中的关键作用提供了新的见解。

氢氧化钾刻蚀硅腔体(钾辅助制造本征缺陷多孔碳用于电催化CO2还原)(1)

Li-Li Ling, et al. Potassium-Assisted Fabrication of Intrinsic Defects in Porous Carbons for Electrocatalytic CO2 Reduction. Adv. Mater., 2022

DOI: 10.1002/adma.202205933

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202205933

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