理想二极管的伏安特性曲线（二极管伏安特性曲线）

大家好，我是电器电！今天来讲一下二极管伏安特性曲线。如下图示

图中曲线主要讲述了二极管电压和电流的特性。那么我们来看图中1所在部分由于在坐标轴的第一象限内正向电压（横轴十表示）正向电流（纵轴十表示）形成曲线1这个部分我们称之为正向特性。

在坐标轴的第三象限内反向电压（横轴一表示）反向电流（纵轴一表示）形成曲线2的部分，我们称之为负向特性。图中C点向右部分。

再来看一下图中C左边这部分我们把这一部分曲线称之为二极管的反向击穿特性。

我们先来看正向特性OA段，当二极管正向电压较小时，那么不足以削弱pN结内电场对多数载流子的阻挡作用，正向电流几乎为零，曲线上OA段称为死区，对应于A点的电压（硅管约为0.5v，锗管约为0.1V）称为死区电压，当外加电压超过死区电压后，电流增加很快，二极管处于导通状态。

再来看一下反向特性，二极管加反向电压OC段内，我们可以看到曲线对应的纵坐标只有几uA，因为仅有少数载流子导电，数值很小，称为反向漏电流。硅管的反向漏电流比锗管小的多。

最后看一下反向击穿特性图中C点可以看到反向电压为50多伏的时候，反向电流剧增，相对应的电压称为反向击穿电压。